技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃       600

• Vce(sat),Max(V)       2.1

• Ton(us)              0.18

• Toff(us)              0.5

• Rth(j-c),K/W       0.041

• Pc(W)              3650

• 封装                 EconoDual3

• 电路结构              半桥

性能概要：

• 低V（CESAT）

• T（VJ OP）=150℃

• V（CESAT）具有正温度系数

• 高功率密度

• 隔离底板

• 标准外形

优点：

• 紧凑型模块

• 容易和*可靠的组装

• 满足任何插头和电缆要求

• 理想的低电感系统设计

目标应用：

• 电机控制和驱动

• 感应加热

*高性能，效率和可靠性的IGBT

• 工业焊接

• 不间断电源（UPS）

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品